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　　据雷峰网报道ღ✿，国内GPU独角兽企业沐曦正开启上市前的裁员计划ღ✿，涉及约200位员工ღ✿，按照目前沐曦员工总数为900人左右计算ღ✿，此次裁员涉及约20%员工ღ✿。另外ღ✿，报道称ღ✿，在开始上市流程前ღ✿，沐曦完成规模约20亿人民币的融资ღ✿，2024年12月份进行交割ღ✿。

　　据《经济参考报》报道ღ✿，沐曦方面表示ღ✿，为顺应公司发展ღ✿，公司会定期开展人员结构调整工作ღ✿，优化人员配置ღ✿，此过程有人员的补充与裁撤ღ✿，均属正常范畴ღ✿，并非市场传言增加上市概率ღ✿，市场传言的优化比例也严重失实ღ✿。此外ღ✿，目前公司已完成上市辅导备案工作ღ✿，上市工作进程有序推进中ღ✿。

　　今年1月15日ღ✿，证监会披露了关于沐曦集成电路(上海)股份有限公司（简称ღ✿：沐曦集成）首次公开发行股票并上市辅导备案报告ღ✿，其上市辅导机构为华泰联合证券ღ✿。

　　到目前为止ღ✿，沐曦连续五年完成8轮融资计划ღ✿，金额达到数十亿元ღ✿，投资方包括上海科创基金ღ✿、浦东资本ღ✿、国调基金等国有资本方ღ✿，以及红杉中国ღ✿、经纬创投ღ✿、混沌资本等多家创投资金ღ✿。

　　沐曦已经合作多家上市公司ღ✿，公司辅导备案当日ღ✿，超讯通信公告与沐曦等公司共同投资设立讯曦智能ღ✿，进行芯片的技术服务和服务器整机生产ღ✿。超讯通信2月公告将以14.88亿元采购元醒曦云C500-P PCie训推一体服务器等产品ღ✿，曦云是沐曦旗下的AI大模型训练及通用计算GPUღ✿。

　　根据胡润研究院发布的《2024全球独角兽榜》中ღ✿，在开启辅导备案的芯片独角兽企业中ღ✿，沐曦估值为100亿元ღ✿。

　　官网显示ღ✿，沐曦集成于2020年9月成立于上海ღ✿，并在北京ღ✿、南京ღ✿、成都ღ✿、杭州ღ✿、深圳ღ✿、武汉和长沙等地建立全资子公司暨研发中心ღ✿。沐曦拥有技术完备ღ✿、设计和产业化经验丰富的团队ღ✿，核心成员平均拥有近20年高性能GPU产品端到端研发经验ღ✿，曾主导过十多款世界主流高性能GPU产品研发及量产ღ✿，包括GPU架构定义ღ✿、GPU IP设计ღ✿、GPU SoC设计及GPU系统解决方案的量产交付全流程ღ✿。

　　沐曦集成打造全栈GPU芯片产品ღ✿，推出曦思N系列GPU产品用于智算推理ღ✿，曦云C系列GPU产品用于通用计算ღ✿，以及曦彩G系列GPU产品用于图形渲染ღ✿，满足“高能效”和“高通用性”的算力需求ღ✿。沐曦产品均采用完全自主研发的GPU IPღ✿，拥有完全自主知识产权的指令集和架构ღ✿，配以兼容主流GPU生态的完整软件栈（MXMACA）ღ✿，具备高能效和高通用性的天然优势ღ✿，能够为客户构建软硬件一体的全面生态解决方案ღ✿，是“双碳”背景下推动数字经济建设和产业数字化ღ✿、智能化转型升级的算力基石ღ✿。

　　截至目前ღ✿，沐曦的实际控制人为陈维良ღ✿。陈维良直接持有沐曦约9.6%的股权ღ✿，此外ღ✿，陈维良通过控制上海骄迈企业咨询合伙企业（有限合伙）ღ✿、上海曦骥企业咨询合伙企业（有限合伙）分别持有沐曦22.83%ღ✿、6.95%的股权ღ✿，陈维良直接和间接控制了沐曦约39.38%的股份澳门尼威斯人ღ✿。

　　2025年2月28日ღ✿，业界领先的短距无线通信SoC芯片厂商深圳捷扬微电子有限公司（以下简称“捷扬微”）宣布完成了B轮系列融资ღ✿，融资金额达到亿元级ღ✿。本轮投资机构包括毅达资本和多家产业投资方ღ✿：炬芯科技ღ✿、中兴新集团旗下的司南投资向日葵视频app污污网站ღ✿、华强集团旗下的华强创投等ღ✿，流深资本担任独家财务顾问ღ✿。

　　捷扬微成立于2020年ღ✿，是一家短距无线通信和智能感知芯片厂商ღ✿。公司开发的UWB（Ultra Wide-Band, 超宽带）芯片和芯粒ღ✿，应用于测距ღ✿、定位和短距无线连接市场ღ✿，为智能手机ღ✿、可穿戴设备ღ✿、标签澳门尼威斯人ღ✿、定位器ღ✿、数字钥匙ღ✿、智能家居ღ✿、汽车ღ✿、机器人以及物联网领域提供全面的芯片解决方案ღ✿。捷扬微是中国首家通过FiRa联盟认证的公司ღ✿，率先打破了国外厂家对UWB芯片的垄断ღ✿。2024年ღ✿，捷扬微成功发布一款业界领先的UWB系统级芯片GT1500ღ✿，该芯片采用晶圆级封装ღ✿，封装尺寸为9平方毫米ღ✿，是全球尺寸最小ღ✿、功耗最低的UWB系统级芯片之一ღ✿。公司是国家高新技术企业ღ✿、深圳市专精特新企业ღ✿，2024年凭借强大的研发实力获得深圳市高层次人才团队项目的数千万元资助ღ✿。

　　截至目前ღ✿，捷扬微已与多家头部手机和可穿戴式设备厂商合作ღ✿，批量供货旗舰手机和手表的应用向日葵视频app污污网站ღ✿，并成为国内最大的UWB芯片供应商ღ✿，已实现年出货量达几百万颗ღ✿，并持续获得更多品牌客户和更多产品应用的新增订单ღ✿。

　　毅达资本表示ღ✿：UWB技术有潜力成为高精度定位和无线连接的通用技术ღ✿，具有广阔的应用前景ღ✿。随着苹果向日葵视频app污污网站ღ✿、高通等国际巨头入局ღ✿，行业生态正在形成澳门尼威斯人ღ✿。捷扬微作为国内头部的UWB芯片设计厂家ღ✿，产品已获得标杆客户的认证并实现量产出货ღ✿；公司核心团队在射频ღ✿、毫米波ღ✿、雷达芯片设计以及相关算法等方面具有丰富的经验ღ✿，技术及产品落地能力较为突出ღ✿。期待捷扬微抓住行业机遇ღ✿，持续深耕研发ღ✿，努力成为世界领先的测距定位和无线连接芯片方案供应商ღ✿。

　　炬芯科技表示ღ✿：炬芯科技深耕端侧AI应用落地ღ✿，致力于在低功耗下为端侧设备提供AI算力支持和低延时高带宽无线连接ღ✿，而UWB技术高带宽ღ✿、低功耗的特点使其在物联网ღ✿、自动驾驶ღ✿、智能家居等领域具有广阔的应用前景ღ✿。我们非常欣赏捷扬微持续创新和研发的能力ღ✿，他们在UWB技术领域创造了优秀的技术成果ღ✿，客户反响热烈ღ✿。作为捷扬微的产业投资方和连续投资方ღ✿，双方将持续加大合作深度ღ✿，共同推动低延时高带宽无线连接技术在端侧AI领域的发展进步ღ✿。

　　司南投资表示ღ✿：捷扬微作为国产UWB芯片的领头羊ღ✿，在多个领域与顶级客户深度合作ღ✿，打造出非凡的终端产品ღ✿，超百万片的出货也展示出捷扬微强大的交付和品质管控能力ღ✿，这次作为优质企业引入杭州ღ✿，期待捷扬微能够与杭州的高新科技企业深度合作ღ✿。

　　华强创投表示ღ✿：捷扬微凭借强大的研发实力与顶级手机厂的合作ღ✿，成为出货量达几百万片的国产UWB厂商ღ✿，已成为国产UWB芯片的龙头公司ღ✿，华强看好UWB的应用和捷扬微的持续发展动能ღ✿，并准备在各个应用领域与捷扬微展开合作ღ✿。

　　捷扬微将参展2025年世界移动通信大会（MWCღ✿，2025年3月3日至6日ღ✿，巴塞罗那）ღ✿，展台号为7号馆7G16ღ✿。捷扬微将展示业界领先的UWB应用ღ✿：1）UWB手机及tagღ✿，2）UWB精准指向性遥控器ღ✿，3) UWB智能跟随车ღ✿，4）UWB游戏手柄ღ✿，5）UWB智能门锁ღ✿，6）UWB无线.AI服务器崛起ღ✿，功率产业链需求 “应声而起”

　　人工智能的快速发展推动了对计算能力的需求ღ✿，尤其是在深度学习向日葵视频app污污网站ღ✿、机器学习等领域ღ✿，AI服务器作为专门为这些计算需求设计的设备ღ✿，正变得越来越重要ღ✿。

　　首先ღ✿，AI服务器持续升级将直接带动服务器电源数量和后备电源需求的增长ღ✿，并对功率器件的转换效率提高需求ღ✿。

　　以英伟达A卡和B卡的功耗为例ღ✿。英伟达B卡的功耗普遍高于A卡ღ✿，这主要是因为B卡通常是为更高级别的AI计算和高性能需求而设计ღ✿，集成了更多的晶体管ღ✿、拥有更强大的计算核心和更高的显存带宽等ღ✿，所以需要消耗更多的能量来运行ღ✿。而A卡则相对更注重在不同应用场景下的平衡ღ✿，功耗根据具体型号和功能有所不同ღ✿，但整体相对B卡较低ღ✿。

　　据中信证券预测ღ✿，英伟达B卡的高功耗特点使得服务器电源不断升级迭代ღ✿，2025/2026年AC/DC环节市场空间分别为230/412亿元ღ✿，相比较2023年的37亿元ღ✿，三年有望实现十倍增长ღ✿。

　　为了提高功率ღ✿，这将直接导致服务器电源数量和后备电源的需求增长ღ✿。一方面ღ✿，AI服务器通常需要多电源模块配置来保证稳定供电ღ✿，一般每台AI服务器需4-6个电源模块ღ✿，相比传统通用型服务器电源配置数量大幅增加ღ✿；另一方面ღ✿，AI数据中心对电力稳定性要求极高ღ✿，UPS（不间断电源）和 BBU（电池备电单元）等后备电源的应用场景不断扩大ღ✿，以防止数据丢失和系统故障ღ✿，保障AI服务器的持续运行ღ✿，从而带动后备电源市场的发展ღ✿。

　　智能功率模块（IPM）集成了功率开关器件ღ✿、驱动电路和保护电路ღ✿，有更高集成度和可靠性ღ✿，能精确控制功率和实现保护功能ღ✿，优化驱动信号波形和时序ღ✿，减少开关时间和损耗ღ✿；碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件ღ✿，相比传统硅基器件ღ✿，它们有更高的电子迁移速度ღ✿、更宽禁带宽度和更低导通电阻ღ✿，能在更高频率下工作ღ✿，减少开关损耗ღ✿，提升转换效率ღ✿。

　　从市场趋势来看ღ✿，高功率服务器电源市场预计将在2025年中旬或年底迎来井喷式增长ღ✿。随着技术的不断进步和市场需求的变化ღ✿，电源供应商的数量可能会趋于稳定ღ✿，预计不会有大量新玩家进入市场ღ✿，这有助于维持市场的稳定性和竞争的良性发展ღ✿。

　　台达作为全球AC/DC电源供应器龙头ღ✿，在高功率服务器电源市场占据较大份额ღ✿，凭借其在电源领域的技术积累和品牌优势ღ✿，成为英伟达AI芯片的电源大赢家ღ✿，为众多 AI 服务器厂商提供电源解决方案ღ✿，但是其产能紧张难以以满足市场需求ღ✿。麦格米特则是大陆最大的电源企业之一ღ✿，已经进入英伟达供应链ღ✿，并以其高端电源产品赢得了市场的认可ღ✿；而欧陆通则是通过富士康ღ✿、浪潮信息ღ✿、联想等一众国产AI服务器厂商ღ✿，也同样获得了一定的市场地位ღ✿。

　　在AI服务器的功率模块市场方面ღ✿，竞争格局呈现出多维度特征ღ✿。英飞凌ღ✿、德州仪器ღ✿、意法半导体等国际企业ღ✿，凭借长期的技术研发投入和深厚的技术积累ღ✿，在功率半导体器件和功率模块领域掌握着核心技术ღ✿。例如英飞凌的 CoolMOS 系列功率 MOSFETღ✿，以其低导通电阻ღ✿、高开关速度等优异性能ღ✿，在AI服务器功率模块中广泛应用ღ✿；德州仪器在电源管理芯片方面技术先进ღ✿，能为功率模块提供精确的控制和高效的电源转换ღ✿。

　　具体而言ღ✿，新洁能拥有 SGT - MOSFETღ✿、SJ - MOSFETღ✿、Gate Driverღ✿、智能功率 ICღ✿、功率模块等丰富产品ღ✿，可应用于 AI 服务器 CPU/GPU 供电ღ✿、同步整流ღ✿、LLCღ✿、PFC 等关键部件ღ✿；士兰微在功率模块领域取得技术突破ღ✿，开发出适用于 AI 服务器的高性能功率模块产品ღ✿，模块集成了多个功率器件ღ✿，具有更高的功率密度和更好的散热性能ღ✿，能够满足 AI 服务器对电源模块小型化ღ✿、高效化的需求ღ✿；扬杰科技积极布局算力服务器电源领域ღ✿，与服务器厂商加强合作ღ✿，为 AI 服务器电源模块提供核心功率器件ღ✿，随着 AI 服务器市场的增长ღ✿，有望受益于市场需求的提升ღ✿。

　　中国台湾电子元件巨头国巨此前于2月5日公告ღ✿，将公开收购日本上市公司芝浦电子（Shibaura Electronics）ღ✿，借此冲刺传感器业务ღ✿，预期总交易金额约655.59亿日元（约140亿元新台币）ღ✿。

　　陈泰铭谈到收购缘由时表示ღ✿，芝浦电子拥有出色的温度传感器技术ღ✿。传感器技术对人工智能（AI）和电动汽车应用至关重要ღ✿。公司一直关注芝浦电子ღ✿，然而其约60%的业务在日本ღ✿，大部分海外业务在中国大陆ღ✿，欧洲和美国等主要市场的销售额仅占总销售额的6%左右ღ✿。从领域来看ღ✿，家电业务占比最大达44%ღ✿，汽车或工业用途仅占很小一部分ღ✿，但不太可能出现大幅增长ღ✿。

　　半导体行业的发展并非一蹴而就ღ✿，而是建立在逐年累积的巨大技术进步之上ღ✿，其发展速度或许超越了历史上任何其他行业ღ✿。IEEE国际电子元件会议（IEDM）是芯片制造商展示这一进步的关键场所之一ღ✿。论文主题涵盖了商业相关的ღ✿、最终可能实现的ღ✿，以及其他可能不会实现但仍然有趣的技术ღ✿。

　　ღ✿，台积电的N2（2nm）工艺ღ✿、三星等研究的2D材料ღ✿、CFET（垂直堆叠互补场效应晶体管）的进步ღ✿，以及英特尔在硅通道扩展上取得的成就超出了人们的预期ღ✿。专家小组的结论是ღ✿，尽管会议上的进展令人瞩目ღ✿，但这还不足以跟上人工智能（AI）的发展步伐ღ✿。对于内存ღ✿，

　　一个重点是存内计算ღ✿，这是解决人工智能内存墙的长期解决方案ღ✿。Meta展示了一种独特的3D堆叠内存实现方案ღ✿。先进封装技术

　　也受到广泛关注ღ✿。这是趋势所在ღ✿，因为封装现在是推动算力的关键途径——我们将讨论英特尔的新EMIB-T 2.5D技术和台积电的下一代SoIC 3D混合键合产品ღ✿。台积电N2

　　节点ღ✿：材料创新推动性能提升台积电是先进逻辑芯片领域的顶尖企业ღ✿。他们的一个关键优势是卓越的工艺技术ღ✿。台积电的GAA（全环绕栅极）工艺节点N2ღ✿，作为其首个采用该技术的制程ღ✿，有望延续其在先进制程领域的竞争优势ღ✿。

　　大于1.15倍的密度缩放ღ✿。提供了六个阈值电压级别（Vtღ✿，即晶体管导通所需的电压）ღ✿，这一点值得注意ღ✿，因为相较于鳍式场效应晶体管（FinFET）ღ✿，GAAFET的Vt调整难度更大ღ✿。阈值电压选项菜单帮助芯片设计师优化性能和功耗ღ✿：逻辑核心可能使用低Vt晶体管以实现高速度ღ✿，而I/O等外围功能则受益于更高Vt以最大限度地降低功耗（通常低Vt意味着晶体管可以更快切换ღ✿，但也会有更多电流泄漏ღ✿，即高性能但高功耗ღ✿。高Vt则相反）ღ✿。为了实现不同的阈值电压ღ✿，必须以精细的控制方式沉积介电材料ღ✿，使其厚度不同ღ✿。此外ღ✿，还有一个挑战ღ✿，即无法直接看到栅极通道的底部ღ✿。这是在GAA中比FinFET工艺使用更多原子层沉积（ALD）技术的关键原因之一ღ✿。

　　在现代逻辑芯片缩放中ღ✿，互连技术与晶体管本身同样重要ღ✿，台积电在这方面做出了真正的改进ღ✿。栅极触点现在采用无阻挡层的钨材料ღ✿，几乎肯定使用了应用材料的Endura平台ღ✿，在连续真空环境下进行预清洗ღ✿、物理气相沉积（PVD）钨衬层以及化学气相沉积（CVD）钨填充腔操作ღ✿。尽管应用材料在IEDM 2023上的演讲声称电阻率降低40%ღ✿，但台积电在实际应用中电阻和电容（RC）可降低55%ღ✿。这直接转化为性能提升ღ✿：在环形振荡器测试设备中提升超过6%ღ✿。

　　最后是一些关于金属层中RC降低的消息ღ✿。在单次光刻的ArFi层中ღ✿，“主力”金属层和通孔的RC分别降低19%和25%澳门尼威斯人ღ✿。我们认为可能是因为使用了更好的介电材料ღ✿。更令人印象深刻的是ღ✿，一种经过优化的M1（金属层1ღ✿，是倒数第二层ღ✿，因此布线非常密集）光刻方案ღ✿，不仅节省多个极紫外光刻（EUV）掩模ღ✿，还使该层的电容降低50%ღ✿！细节仍是个谜——以下是供“侦探们”参考的完整引述ღ✿：

　　现在ღ✿，GAA即将进入大规模生产阶段ღ✿，CFET成为新的“下一个大事件”ღ✿。我们在IEDM 2023综述中深入探讨了动机和细节ღ✿，但要点在于ღ✿，将PMOS和NMOS晶体管上下堆叠ღ✿，相比于传统的并排配置ღ✿，可实现约1.5倍的缩放ღ✿。

　　论文的重点是降低源/漏极接触的工艺复杂性ღ✿。构建低电阻接触是提高性能的关键ღ✿，但由于需要高纵横比以连接CFET的底部和顶部器件ღ✿，这一工艺较为困难ღ✿。IMEC的解决方案是设置共享的“中间布线墙”ღ✿，它位于每个N+PMOS堆叠的一侧ღ✿，根据需要连接到源极和漏极ღ✿。像这样的“墙”或轨道比通孔更容易构建ღ✿，因此可以实现更好的质量ღ✿、性能等ღ✿。但这仍有待证明ღ✿，因为该论文仅模拟了集成流程ღ✿。下一步可能是实际构建这些器件ღ✿。

　　台积电再次展现出最佳水平ღ✿。他们展示了能正常工作的CFET反相器ღ✿，这意味着底部的pFET和顶部的nFET被连接在一起形成一个基本逻辑门澳门尼威斯人ღ✿。这是在工业化工艺集成路线图上领先其他公司一大步ღ✿。最重要的是ღ✿，他们采用一种有效的方法来形成顶部和底部FET之间的局部互连ღ✿。这是IMEC在模拟中解决的问题ღ✿，而台积电已经在硅片上实现ღ✿。尽管可能是精心挑选的ღ✿，但晶体管性能已经非常好ღ✿，这表明局部互连和接触质量良好ღ✿。高纵横比和严格的对准要求ღ✿，将是实现大批量生产面临的主要挑战ღ✿。

　　内存领域最热门的话题显然是HBM（高带宽存储器）ღ✿。不幸的是ღ✿，目前它与商业利益相关性太高ღ✿，所以没有公司会在会议论文中提供详细信息ღ✿。IEDM的焦点是存内计算ღ✿。

　　Meta展示了将3D封装的SRAM或DRAM堆叠在计算单元上方（这实际上是近内存计算）的成果ღ✿，并提出了一个理论上的内存内计算加速器ღ✿，用于VR应用向日葵视频app污污网站ღ✿。

　　尽管理论和测试模型的结果看起来很不错ღ✿，但要实现商业化仍存在一些障碍ღ✿。首先ღ✿，大多数CIM架构的可靠性和准确性比当前的计算+内存模式要差ღ✿。例如ღ✿，利用DRAM存储单元及其外围电路执行简单逻辑运算的方案ღ✿，错误率较高ღ✿。DRAM（或许多其他内存类型）和逻辑电路的制造从根本上不同且不兼容ღ✿。以DRAM退火的热预算为例ღ✿：可能需要600°C并持续数小时ღ✿，远高于先进逻辑器件所能承受的温度ღ✿。

　　第二是成本ღ✿。即使是像Meta展示的采用混合键合技术的近内存计算也是具有挑战性的ღ✿。目前市场上唯一一款将内存与逻辑电路采用混合键合技术的主流产品——AMD的X3D CPUღ✿，其销量和利润率并不可观ღ✿。使用DRAM库进行计算的方法需要一个更复杂的内存控制器ღ✿。而共同制造方案也很复杂——可能需要专门的内存和逻辑电路工具ღ✿。尽管如此ღ✿，与传统计算相比ღ✿，AI加速器的需求使得采用更昂贵的解决方案变得合理ღ✿。CIM仍将会加大研发力度ღ✿，成为可行产品ღ✿。

　　即使在一个可能以器件为主题的会议上（国际电子器件会议）ღ✿，先进封装技术也受到大量关注ღ✿。因为它是计算能力扩展的新前沿领域ღ✿。

　　初代EMIB技术声称具有成本优势ღ✿，主要是因为它不采用制作成本相对高昂的硅通孔ღ✿。这意味着一些信号和电源必须绕过中介层进行布线ღ✿。而硅通孔能够为信号与电源布线带来更大灵活性ღ✿，可选择将任意或所有信号及电源经由中介层传输ღ✿。随着硅通孔制造技术的成熟ღ✿，其成本也在降低ღ✿。英特尔的EMIB-T目标市场是使用2.5D/EMIB和3D/Foveros的复杂异构封装ღ✿，以提供超越掩模尺寸限制的多种互连密度ღ✿。高性能计算（HPC）是其中最重要的应用场景ღ✿。

　　台积电对其SoIC 3D封装技术进行了更新ღ✿。虽然从技术上讲ღ✿，台积电并不是混合键合的行业领导者（索尼在其CMOS图像传感器中已实现4µmღ✿，并即将达到1µm）ღ✿，但台积电在先进逻辑封装方面处于领先地位ღ✿。此新一代SoIC技术似乎实现了15µm的硅通孔互连间距ღ✿。相比之下ღ✿，英特尔的Foveros间距大约是25µmღ✿。由于互连间距的平方与密度和性能成正比ღ✿，因此即使是与上一代SoIC相比ღ✿，这一差距也是显著的ღ✿：

　　二维（2D）材料有望取代硅晶体管沟道ღ✿。沟道负责在晶体管的源极和漏极之间传导电流ღ✿，其传导过程由与沟道接触或环绕沟道的栅极控制ღ✿。在硅材料中ღ✿，沟道长度（通常称为栅极长度或LG）低于约10nm被认为是不可行的ღ✿，因为漏电流过高——晶体管效率低且难以关闭ღ✿。由2D材料构建的沟道更易控制ღ✿，且不易受导致硅材料漏电的机制影响ღ✿。随着领先设备的栅极长度已达到10~20nmღ✿，2D材料已被纳入许多21世纪30年代的技术规划ღ✿。

　　仍远未达到商业化阶段ღ✿。英特尔的一篇论文将主要挑战归纳为三大类ღ✿：材料生长ღ✿、掺杂与接触形成以及GAA堆叠/高介电常数金属栅极ღ✿。“掺杂与接触形成”包括为形成晶体管有源源极和漏极区域进行的掺杂ღ✿，以及为与上方金属互连层形成低电阻连接而进行的接触操作ღ✿。GAA堆叠需要在二维沟道周围沉积多层材料ღ✿，以形成控制晶体管的栅极ღ✿。

　　目前ღ✿，在掺杂ღ✿、接触和栅极形成方面ღ✿，台积电已取得一些进展澳门尼威斯人ღ✿。台积电展示了针对P型器件接触的研究成果ღ✿，这填补了一项空白ღ✿。此前台积电已展示过N型晶体管的接触ღ✿。接触是金属互连（布线）层与晶体管源极ღ✿、漏极或栅极之间的电气连接ღ✿。接触性能的关键因素ღ✿，尤其是在现代器件尺寸为几十纳米的情况下ღ✿，是电阻ღ✿。挑战在于ღ✿，源极和漏极由半导体材料制成——传统上是硅或这里的2D材料（本例中为WSe2）——其电阻较高ღ✿。将互连金属直接沉积在源极或漏极上ღ✿，会在界面处形成高电阻的肖特基势垒ღ✿。金属与硅的粘附性通常也较差ღ✿。

　　对于2D材料ღ✿，无法进行硅化处理ღ✿，因为它们不含硅ღ✿。首选的解决方案是简并掺杂ღ✿：将特定杂质引入2D材料结构中ღ✿，将其从半导体转变为导体ღ✿。实际上ღ✿，对WSe2进行掺杂是很困难的ღ✿：其晶格容易被破坏ღ✿，且在整个材料中实现均匀的掺杂分布具有挑战性ღ✿。但论文的作者们已经做到了这一点ღ✿。接触问题是现代逻辑工艺中最大的挑战之一ღ✿，为2D材料找到一条可行的前进方向是重大进步ღ✿。

　　栅极氧化物是2D材料商业化的另一关键挑战ღ✿。正如台积电N2论文中所述ღ✿，栅极氧化物的质量决定了晶体管的可控性ღ✿。如果不能很好地控制晶体管……就没有可行的逻辑工艺ღ✿。英特尔展示了高质量栅极氧化物的形成过程ღ✿，由此实现了对晶体管的良好控制ღ✿。DIBL（漏极感应屏障泄漏）和亚阈值摆幅较低ღ✿，最大漏极电流较高——这些都表明静电控制良好ღ✿。这里的主要创新似乎是工艺优化ღ✿，特别是针对预清洗和氧化物沉积工艺ღ✿。

　　尽管在掺杂ღ✿、接触和栅极形成方面取得了进展ღ✿，但在2D材料生长方面仍缺乏进展ღ✿。我们在去年的综述中写道ღ✿：“生长是2D材料的基本问题ღ✿。”大多数现有研究使用转移法——材料在蓝宝石衬底上生长ღ✿，然后通过机械方式转移到硅片上ღ✿。但这是一种实验室技术ღ✿，无法扩展到量产ღ✿。直接在12英寸硅片上生长是最有可能实现商业化的路径ღ✿。

　　最近在这方面的进展似乎停滞不前ღ✿。三星展示了使用8英寸测试晶圆进行的晶圆上生长ღ✿。但材料在晶圆上的附着力不佳ღ✿。解决方案是在每个晶体的边缘制造“夹子”ღ✿，以在后续工艺步骤中将其固定ღ✿。虽然展示了功能晶体管ღ✿，不过是采用顶栅和底栅结构ღ✿，而不是GAA结构ღ✿。但这一工艺无法规模化澳门尼威斯人ღ✿。测试器件的沟道长度为500mm——大了两个数量级ღ✿。如果每个沟道都需要夹子ღ✿，那么所消耗的面积将抵消缩短沟道带来的缩放优势ღ✿。真正的需求是在整个晶圆上生长高质量材料ღ✿，而且不需要辅助结构ღ✿。

　　对2D材料来说更不利的是ღ✿，理论上硅的最小栅极长度为10nm的说法已被证明是错误的ღ✿。英特尔展示了一种单条带GAA晶体管ღ✿，其栅极长度仅为6nmღ✿。

　　英特尔的成果证明这种量子隧穿效应是可以减轻ღ✿。该器件的性能虽不完美ღ✿，但已经非常好ღ✿，并且很可能通过足够的改进实现大规模商业化ღ✿。亚阈值摆幅（衡量晶体管对栅极电压变化的响应程度ღ✿，即晶体管开关的难易程度）已经接近理论室温最小值60mV/Vღ✿。DIBL（漏极感应屏障泄漏ღ✿，这种影响会随着沟道变短而加剧）大约是台积电N2工艺的两倍ღ✿。它需要改进ღ✿，但对于研发来说已经是不错的成果ღ✿。

　　6nm栅极长度的GAA晶体管性能表现良好向日葵视频app污污网站ღ✿。之前已制造出5nm栅极长度的FinFETღ✿，但性能非常差向日葵视频app污污网站ღ✿。来源ღ✿：英特尔

　　计算设备的持续进步无疑是惊人的ღ✿，但还不够ღ✿。如果基础设备技术没有进步ღ✿，计算需求及其所需能源的指数级增长将难以为继ღ✿。斯坦福大学的Tom Lee教授绘制了按当前增长率推算出未来150年的能源需求ღ✿。这一推算跨度很大ღ✿，但证明了必须做出改变ღ✿。按当前增长率ღ✿，到2050年ღ✿，AI计算所需的能源将耗尽太阳射向地球的每一个光子ღ✿。再过100年ღ✿，我们将需要捕获太阳发出的每一个光子ღ✿。IEDM专家小组建议ღ✿，与其建造“戴森球（一种假想的巨型结构ღ✿，它包围着一颗恒星ღ✿，并捕获其大部分能量输出）”ღ✿，不如在半导体器件领域寻求突破ღ✿。

　　近日市场消息称ღ✿，奔驰中国于2月26日启动裁员并约谈部分员工ღ✿，主要涉及销售和汽车金融两个体系澳门尼威斯人ღ✿，预计裁员比例约为15%ღ✿，赔偿方案为N+9向日葵视频app污污网站ღ✿，如果未来2个月内没有找到新工作ღ✿，奔驰中国还将给辞退员工额外发放2个月工资ღ✿。

　　SkyWater已与英飞凌科技达成协议ღ✿，由SkyWater购买英飞凌位于美国得克萨斯州奥斯汀的200毫米晶圆厂（“Fab25”）并签订相应的长期供应协议ღ✿。SkyWater将把晶圆厂作为代工厂运营ღ✿，从而提高美国基础芯片的可用产能ღ✿，这些芯片的节点为130nm~65nmღ✿，这对于许多工业ღ✿、汽车和国防应用至关重要ღ✿。Fab 25还将大幅增加SkyWater作为代工厂的规模ღ✿，并提供额外的功能ღ✿，例如65nm基础设施ღ✿、扩大的铜加工规模和高压Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）技术ღ✿。长期供应协议将使英飞凌能够在美国保持强大ღ✿、高效和可扩展的制造足迹ღ✿。

　　SkyWater是一家总部位于美国的公司ღ✿，拥有广泛的客户群ღ✿，是美国国防部的可信赖供应商ღ✿。SkyWater认为ღ✿，此次交易将使其实现显著的规模经济ღ✿，为SkyWater的客户带来高价值的制造服务ღ✿，并支持关键行业的双重采购战略ღ✿。此外ღ✿。SkyWater计划将Fab 25的业务模式从集成设备制造商（IDM）转变为代工厂ღ✿，以便随着时间的推移为广泛的新客户群带来巨大的制造能力ღ✿。基础半导体对包括国防部门在内的多个美国行业都具有战略重要性ღ✿。此次合作将加强美国的工业基础和国内半导体供应链ღ✿，以及关键基础半导体技术的弹性ღ✿。此次交易的完成需获得美国监管部门的批准ღ✿，预计将在未来几个月内完成ღ✿。

　　英飞凌执行副总裁兼前端运营主管Alexander Gorski表示ღ✿，“此次交易完全符合英飞凌的制造战略ღ✿，即在内部制造无法提供竞争优势的情况下与战略代工合作伙伴创造协同效应ღ✿。与SkyWater的合作创造了互利和协同效应ღ✿，支持我们的盈利增长ღ✿，并为我们提供强大且值得信赖的代工合作伙伴ღ✿，从而保障我们在美国的长期供应基础ღ✿。”

　　惠普公司给出了第二财季利润预期ღ✿，但低于市场预期ღ✿，理由是零部件成本上升和中国商品关税的影响ღ✿。该公司表示ღ✿，截至4月第二财季ღ✿，不包括某些项目ღ✿，每股收益将为75~85美分ღ✿。分析师平均预计为85美分ღ✿。

　　总市值超过8万亿美元的科技公司敦促特朗普政府重新考虑AI芯片出口限制ღ✿，他们担心这些限制会将美国盟友推向中国竞争对手的怀抱ღ✿。

　　美国总统唐纳德·特朗普表示ღ✿，他提议对墨西哥和加拿大商品征收25%的关税ღ✿，将于3月4日生效ღ✿，同时对中国进口商品再征收10%的额外关税ღ✿。数据防泄ღ✿，澳门尼威斯人ღ✿，澳门尼斯人游戏ღ✿，澳门尼斯人游戏电玩ღ✿。网路安全ღ✿。威斯尼斯人ღ✿，威斯尼斯人官方网站ღ✿。澳门尼斯人游戏电玩网站ღ✿，